IGBT的开关过程主要涉及两个阶段：开通过程和关断过程，这两个过程分别由不同的物理机制和条件控制

1、时间：0~t1。在这个阶段，通过栅极驱动电压VGon给电容CGE和CGC充电，栅极-发射极电压UGE开始上升直到达到门槛电压VT。在这个阶段，由于VGE未达到阈值，无电流通过，集电极电流IC和集射级电压UCE保持不变。

2、时间：t1~t2。UGE到达门槛电压后，继续上升，此时集电极电流IC开始上升，续流二极管依旧正向导通。

3、时间：t2~t3。随着流过IGBT的电流IC逐渐上升，直到续流二极管开始反向导通，产生反向恢复电流，与IGBT电流方向是同向的。

4、时间：t3~t4。电流IC继续上升直到峰值，此时最大过冲量为Irr，二极管的反向恢复电流达到最大值。

5、时间：t4~t6。电流IC达到峰值后反向恢复电流开始减小，IC也开始减小，直到反向恢复结束。

6、时间：t6~t7。门极电流继续对CGC和CGE充电，使VGE上升至稳态值，IGBT退出放大区并进入饱和区，开通过程结束。

关断过程：

相比于MOSFET，IGBT采用一种新的方式降低了通态损耗，但这一设计同时引发了拖尾电流It，拖尾电流持续衰减至关断状态漏电流的时间称为拖尾时间tt，拖尾电流严重影响了关断损耗。

IGBT的关断波形大致分为三个阶段：关断延迟时间td(off)，关断过程中电压上升到10%到电流下降到90%时间Δt，以及关断下降时间tf。

IGBT关断时间表达式为toff=td(off)+Δt+tf。

IGBT的开关过程不仅涉及复杂的物理机制，还受到电路中电感、电容等元件的影响，因此在实际应用中需要仔细设计和优化以实现最佳的开关性能。